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誓與臺(tái)積電比高低!三星未來(lái)要砸1000億美元在代工領(lǐng)域

發(fā)布時(shí)間:2022-03-10作者來(lái)源:薩科微瀏覽:2572

在今天芯動(dòng)科技主辦的2021 國(guó)產(chǎn)IP與定制芯片生態(tài)大會(huì)上,三星半導(dǎo)體總監(jiān)YK Lee在發(fā)言中指出,到2030年,三星將在代工領(lǐng)域投資1000億美元,將三星打造為真正的代工巨頭,覆蓋接口、汽車(chē)、移動(dòng)、消費(fèi)和高性能處理器領(lǐng)域。
    YK Lee的PPT顯示,三星將在2023年量產(chǎn)3nm GAA工藝技術(shù)。

他表示在每一代工藝上,三星都有改進(jìn)

  幾天前,三星宣布3nm GAA流片成功。在3nm節(jié)點(diǎn),三星選擇了下一代工藝技術(shù)——GAA環(huán)繞柵極晶體管,通過(guò)使用納米片設(shè)備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET,多橋-通道場(chǎng)效應(yīng)管),該技術(shù)可以顯著增強(qiáng)晶體管性能,主要取代FinFET晶體管技術(shù)。     根據(jù)三星的說(shuō)法,與5nm制造工藝相比,3nm GAA技術(shù)的邏輯面積效率提高了35%以上,功耗降低了50%,性能提高了約30%。
  從他公布的數(shù)據(jù)看,每一代技術(shù)在速度、面積和功耗上都后明顯的改進(jìn)。
    三星早在2019年就公布了3nm GAA工藝的PDK物理設(shè)計(jì)套件標(biāo)準(zhǔn),這次3nm芯片流片是跟Synopsys合作完成的,雙方聯(lián)合驗(yàn)證了該工藝的設(shè)計(jì)、生產(chǎn)流程,是3nm GAA工藝的里程碑。
  YK Lee表示三星代工是面向所有主流領(lǐng)域
    針對(duì)AI和高性能計(jì)算,三星有完整的解決方案,分別是高級(jí)工藝、高級(jí)封裝和高級(jí)ip。     在高級(jí)封裝上,半導(dǎo)體領(lǐng)頭羊都有自己的技術(shù),臺(tái)積電有CoWoS,Intel有Foveros。三星的3D封裝技術(shù)叫X-Cube。     X-Cube的全稱(chēng)是eXtended-Cube,意為拓展的立方體。在Die之間的互聯(lián)上面,它使用的是成熟的TSV工藝,即硅穿孔工藝。目前三星自己的X-Cube測(cè)試芯片已經(jīng)能夠做到將SRAM層堆疊在邏輯層之上,通過(guò)TSV進(jìn)行互聯(lián),制程是他們自家的7nm EUV工藝。三星表示這樣可以將SRAM與邏輯部分分離,更易于擴(kuò)展SRAM的容量。另外,3D封裝縮短了Die之間的信號(hào)距離,能夠提升數(shù)據(jù)傳輸速度并提高能效。   X-Cube可靈活應(yīng)用于未來(lái)芯片之上,包括5G、AI和高性能計(jì)算等領(lǐng)域的芯片均可使用該技術(shù)。三星表示X-Cube已經(jīng)在自家的7nm和5nm制程上面通過(guò)了驗(yàn)證,計(jì)劃和無(wú)晶圓廠的芯片設(shè)計(jì)公司繼續(xù)合作,推進(jìn)3D封裝工藝在下一代高性能應(yīng)用中的部署。這個(gè)短視頻介紹了這個(gè)技術(shù)。   三星也有自己的高級(jí)代工生態(tài)計(jì)劃(SAFE)如在SAFE EDA領(lǐng)域,三星有12個(gè)合作伙伴,在SAFE IP 領(lǐng)域,三星有52個(gè)合作伙伴。     芯動(dòng)科技就是三星的IP合作伙伴,主要在GDDR6,LPDDR4X等存儲(chǔ)器和接口方面合作。     他表示三星會(huì)加大EUV產(chǎn)線(xiàn),5月21日,三星宣布計(jì)劃提高其在韓國(guó)平澤市新生產(chǎn)線(xiàn)的晶圓代工生產(chǎn)能力。三星電子指出,該生產(chǎn)線(xiàn)已于本月開(kāi)始建設(shè),將專(zhuān)注于基于EUV的5納米及以下工藝技術(shù),預(yù)計(jì)將于2021年下半年全面投入生產(chǎn)。     根據(jù)規(guī)劃,三星將于今年下半年開(kāi)始在華城工廠開(kāi)始批量生產(chǎn)5nm EUV工藝。加上平澤工廠,三星將在韓國(guó)和美國(guó)總共擁有7條晶圓代工生產(chǎn)線(xiàn),其中包括6條12英寸生產(chǎn)線(xiàn)和1條8英寸生產(chǎn)線(xiàn)。   與7nm EUV工藝對(duì)比,三星5nm EUV工藝的性能提升10%,功耗降低了20%,邏輯面積效率提升25%。   總之,未來(lái)三星將是臺(tái)積電強(qiáng)勁對(duì)手,目前在美國(guó)和韓國(guó),三星都有高端300mm晶圓廠。
 




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