制造：

TAPEOUT（TO）流片： 指提交最終GDSII文件給Foundry工廠做加工。

FULL MASK 全掩膜:  即制造流程中的全部掩膜都為某個(gè)設(shè)計(jì)服務(wù)。

MPW (Multi Project Wafer)多項(xiàng)目晶圓:  即多個(gè)項(xiàng)目共享某個(gè)晶圓，也即同一次制造流程可以承擔(dān)多個(gè)IC設(shè)計(jì)的制造任務(wù)。

MPW就是和別的廠家共享一張掩模版，而FULL MASK則是獨(dú)享一張掩膜版。如果芯片風(fēng)險(xiǎn)比較高，則可以先做MPW，測(cè)試沒有問題，再做FULL MASK。

Foundry 晶圓廠:  專門從事芯片制造的廠家，例如臺(tái)積電（TSMC），中芯國(guó)際（SMIC），聯(lián)電（UMC）。對(duì)應(yīng)的就是fabless，就是設(shè)計(jì)廠家，就是沒有晶圓廠。

Wafer：晶圓。

Die：晶圓切割后，單個(gè)芯片的晶圓，這個(gè)需要加上封裝好的外殼才能能變成芯片。

Chip：最后封裝后的芯片。

Bump：bumping指凸點(diǎn)。在wafer表面長(zhǎng)出凸點(diǎn)（金，錫鉛，無(wú)鉛等等）后，（多用于倒裝工藝封裝上，也就是flipchip）。

Mask 掩模：在硅片上選定的區(qū)域中對(duì)一個(gè)不透明的圖形模板遮蓋，繼而下面的腐蝕或擴(kuò)散將只影響選定的區(qū)域以外的區(qū)域

Chamber真空室，反應(yīng)室：專指一密閉的空間，而有特殊的用途、諸如抽真空，氣體反應(yīng)或金屬濺鍍等。

Dicing Wafer：晶圓劃片，晶圓切割

CVD （Chemical Vapor Deposition) 化學(xué)氣相沉積：是一種被廣泛應(yīng)用于材料制備領(lǐng)域的先進(jìn)技術(shù)，利用高溫和低壓環(huán)境將氣體或氣體混合物中的化學(xué)物質(zhì)轉(zhuǎn)化為固體材料。

PVD （Physical Vapor Deposition）物理氣象沉積：通過離子等離子技術(shù)在基材表面附著另一種材料的方法。是噴射、蒸發(fā)等的總稱。

CMP （Chemical-Mechincal Polish)化學(xué)機(jī)械拋光：利用在表面布滿研磨顆粒的研磨墊（polishingpad），對(duì)凸凹不平的晶體表面，藉由化學(xué)助劑（reagent）的輔助，以化學(xué)反應(yīng)和機(jī)械式研磨等雙重的加工動(dòng)作，來進(jìn)行其表面平坦化的處理。

CDA （Clean Dry Air) 壓縮干燥空氣：通常指壓力在60到110psi之間的空氣，經(jīng)過凈化和干燥處理。作為氣動(dòng)元件的氣體源。

Diffusion擴(kuò)散： 在半導(dǎo)體工業(yè)上常在很純的硅芯片上以預(yù)置或離子植入的方式做擴(kuò)散源，以進(jìn)爐管加高溫的方式，使擴(kuò)散在數(shù)小時(shí)內(nèi)完成

DI Water去離子水：自來水或地下水中，含有大量的細(xì)菌，金屬離子及Particle，必須用設(shè)備將之殺菌過濾和純化后，再把金屬離子等雜質(zhì)去除，所得的水即稱為"去離子水"。專供IC制造使用。

Dopant摻雜：在原本的半導(dǎo)體材料里，主動(dòng)植入或通過擴(kuò)散的方法將其它的原子或離子摻入進(jìn)去，達(dá)到改變其電性能的方法。

Dummy Wafer 擋片：對(duì)制程起一定輔助作用的硅片，區(qū)別于產(chǎn)品。一般對(duì)其質(zhì)量要求不是很高。