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發(fā)布時(shí)間:2023-10-17作者來源:薩科微瀏覽:1612
1.沉積(Deposition):在半導(dǎo)體材料表面上沉積薄膜層,如化學(xué)氣相沉積(CVD)和物理氣相沉積(PVD)。
2.蝕刻(Etching):使用化學(xué)或物理方法去除表面的不需要的材料,如濕法蝕刻和干法蝕刻。
3.光刻(Photolithography):使用光刻膠和光罩(mask)將模式影射到芯片表面,以定義電路的圖案。
4.熱處理(Annealing):通過加熱和冷卻的過程改變材料的晶格結(jié)構(gòu)和性能。
5.摻雜(Doping):向材料中引入雜質(zhì),以改變其電子特性,如n型摻雜和p型摻雜。
6.金屬化(Metallization):在芯片上添加金屬層,用于電流流動(dòng)、連接和引線。
7.清洗(Cleaning):通過化學(xué)溶液或物理過程去除雜質(zhì)和污染物,以保持芯片的純凈度。
8.堿性洗滌(Alkaline Cleaning):使用堿性溶液去除材料表面的有機(jī)和無機(jī)殘留物。
9.接觸式曝光(Contact Exposure):將光刻膠與光罩直接接觸,進(jìn)行圖案的傳遞。
10.阻擋層(Masking Layer):用于保護(hù)或選擇性曝光的化學(xué)或物理層。
11.退火(Annealing):通過加熱和冷卻來消除應(yīng)力、改善晶格結(jié)構(gòu)質(zhì)量和調(diào)整電子特性。
12.異質(zhì)結(jié)(Heterojunction):由不同材料組成的結(jié)構(gòu),具有不同的能帶結(jié)構(gòu)和電子特性。
13.電子束曝光(Electron Beam Lithography):使用電子束繪制圖案,以進(jìn)行高分辨率的光刻。
14.CMP(Chemical Mechanical Polishing):一種通過化學(xué)和機(jī)械作用來平整和拋光表面的工藝。
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